存储系统及主存储器-Toy模板网

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存储器概念

存储器是计算机系统中的记忆设备
用来存放程序和数据
存储器的性能已成为计算机系统的核心

存储器构成

存储介质

主要采用半导体器件和磁性材料

存储位元

存储一位二进制代码，是存储器中最小的存储单元，一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料都可以构成一个存储位位元

存储单元

由若干个存储位元组成一个存储单元

存储器

由许多存储单元组成一个存储器

存储单元的编制

字存储单元

存放一个机器字的存储单元，相应单元地址称为字地址

字节存储单元

存放一个字节的单元，相应的地址称为字节地址

按字编址的计算机

计算机可编址的最小单位是字存储单元

按字节编址的计算机

计算机可编址的最小单元是字节单元

一个机器字可以包含数个字节，一个字存储单元可以占用多个字节单元

存储器的分类-1

半导体存储器：

采用超大规模集成电路工艺制成芯片

体积小
功耗低
存储时间短
断电后信息丢失

磁表面存储器：

在金属或塑料基体的表面涂上一层磁性材料作为记录介质

磁芯存储器：

由硬磁性材料做成环状元件，在磁芯中穿有驱动线和读出线

信息可长期保存
不会轻易丢失

光记录存储器：

用激光在记录介质上进行读写的存储器

可长期保存信息

存储器的分类-2

随机存储器：

任何一个单元都可以随机的存取，且存储时间与存储单元的物理位置无关，即对存储器中的任意一个单元的写入和读出的时间是一样的

顺序存储器：

存储器只能按照某种顺序来存取，即存储时间的长短与信息在存储体上的位置有关

磁带

半顺序/直接存储器：

对存储器的访问介于以上两者之间，既不能随机的访问任何一个存储单元，也不是完全的按照顺序存取

磁盘

存储器分类-3

RAM：

存储器工作过程中既可以读出也可以写入

用来存放当前运行的程序和数据，并可在程序运行过程中反复更改其内容

ROM：

只可以读出不能够写入

常用来存放不变或基本不变的程序和数据（如监控程序、引导和加载程序等）

存储器分类-4

易失性存储器：

断电后信息消失的存储器

非易失性存储器：

断电后仍能够保存信息

存储器分类-5

主存的分类

存储系统的层次结构

衡量存储器性能的指标：

速度
容量
每位价格

由于容量大导致速度低，速度高导致每位价格高的冲突，在一种存储器中兼顾三方是困难的，因此构建多级的存储系统解决三者的矛盾问题

程序的局部性原理

程序和数据一般都连续性存储，CPU访问存储器时，无论是读取指令还是存取数据，在一个较短的时间间隔内，所访问的存储的单元都趋向于一个较小的连续区域中

即在某一段时间内，系统会频繁的访问某一局部的存储器地址空间，而对范围以外的地址空间很少访问

时间局部性

最近被访问的信息很可能还要被访问

空间局部性

最近被访问的临近地址的信息也可能被访问

存储系统及主存储器

上图是多级存储系统的金字塔结构图

存储系统及主存储器

缓存主存层次主要解决CPU和主存层次速度不匹配的问题，在主存和缓存之间增加辅助硬件，将CPU近期要用的数据调入缓存，由于缓存容量小，需要不断地将主存的内容调入缓存，从CPU看，速度接近缓存的的速度，容量是主存的容量，每位价格接近于主存的价格，由于缓存和主存之间的数据调动都是由硬件自动完成的，他对系统程序员和应用程序员都是透明的

主存辅存层次主要解决系统的容量问题，辅存不能直接和CPU交换信息，但他的容量比主存大很多，并且具有非易失性，可以长期存储暂时不需要的信息，当CPU需要这些信息时，再将这些信息调入主存，主存和辅存之间的数据调用是操作系统系统和硬件之间共同完成的，主存和辅存之间的不断发展逐渐形成了虚拟存储器

存储器的主要技术指标

指标	含义	单位
存储容量	在一个存储器中可以容纳的存储单元总数	字或者字节数B、K、M、G、T
存取时间	从接收到读写命令开始到信息被读出或者写入完成所需的时间	ns
存取周期	连续两次访问存储器的最小时间间隔	ns（通常要比存取时间长）
存储器带宽	单位时间内存储器所存取的信息量	位/秒字节/秒

静态RAM存储器

目前流行的主存是半导体存储器，按照制作工艺可以将其分为以下两种：

双极性

速度快，集成度低、功耗大、价格高

主要用于高速缓存

MOS型

集成度高、功耗低、价格便宜、速度较慢

存储器芯片基本结构

存储系统及主存储器

存储容量等于存储单元的个数乘以单个存储单元的存储位数即
$KaTeX parse error: Undefined control sequence: \cross at position 10: 存储容量=2^M\̲c̲r̲o̲s̲s̲ ̲N$
M表示有M个地址引脚数，N表示有N个数据引脚数

基本的静态存储元阵列

存储系统及主存储器

图中有六条地址线，四条数据线，表示每个存储单元存储四位数据，控制线控制写入读出，高电平表示Read读出、低电平Write写入有效

静态RAM存储器的存储元是用锁存器或者触发器电路来记忆数据的，通常一个SRAM存储元由六个MOS管组成，其中两个工作管交叉耦合构成一个双稳态触发器

存储系统及主存储器

选择线打开对应的与非门，然后由数据选择先控制写入的信号，为1则为1，为0则为0，下面的非或门起到巩固上面非或门输出的作用

因此只要不断电存储的信息就非常稳定，断电就会丢失

存储芯片内地址译码的方法

单译码方式

一根字选择线直接选中一个存储单元的各位，只用于一个地址译码器

优点是结构简单、速度快、适用于小容量

缺点是外围电路多、成本昂贵、结构不合理

双译码方式

将地址分为X向和Y向两部分、二级译码

第一级进行X向行译码和Y向列译码的独立译码
在存储元阵列中完成第二级的交叉译码

X和Y向两个译码器适用于大容量存储器

二者对比

假设一个32K*8的存储元矩阵，由于32K= $2^{15}$ ,因此需要十五位地址线，如果采用单译码方式，就需要 $2^{15}$ 根地址译码输出线来选择这么多的存储单元

如果采用双译码方式，将十五位地址分为X、Y两组，X为8为地址、Y为7为地址，利用X和Y译码器输出的交叉选择，同样可以确定这么大小的不同存储单元，而两个译码器的输出共仅需 $2^8+2^7=384$ 根线

存储系统及主存储器

首先地址线有效，选中对应存储单元，然后片选信号和输出使能有效，可以读出数据

存储系统及主存储器

动态RAM存储器

动态RAM存储器存储元简化了结构，由一个MOS管和电容组成单管的记忆电路。

存储系统及主存储器

MOS管作为开关使用，栅极接高电位MOS管打开、接低电位MOS管关闭，所存储的信息是1还是0，由电容器的电荷体现，当电容充满电荷时表示为1，放电没有电荷时存储位0

写1到存储元时，输出缓冲器和刷新缓冲器都关闭，输入缓冲器打开，输入的数据1经DIN送入到存储元位线上，此时行线为高，打开MOS管，漏极和源极接通，位线上的高电平给电容充电，就写入了1。写0时，同样的，但是此时位线上为低电平，因此电容放电，就写入了0。

存储系统及主存储器

在读出数据时，刷新缓冲器和输入缓冲器关闭，输出缓冲器打开，行列线选中对应存储单元，栅极为高，漏极源极接通，如果电容存储信息为1，则经由位线送到输出缓冲器输出到Dout，读出数据，读出数据会破坏电容上存储的信息，所以要把数据重新写入，也就是存储元的刷新操作

存储系统及主存储器

刷新操作时刷新缓冲器和输出缓冲器均打开，将Dout输出的数据重新写入存储单元

由于读写操作互斥，输入缓冲器和输出缓冲器一直处于互锁的状态

1M*4位DRAM芯片

按理说上图中芯片应该有二十个地址引脚，但是实际上只有十个

存储系统及主存储器

逻辑结构图，采用分时传送地址码

由于DRAM存储元电路所用器件少，其集成度高，所用容量大，这会增加芯片引脚数目，因此采用分时传送的方式。

先选中地址信号 $A_0-A_9$ ,由行选中信号RAS*打入到行地址锁存器，然后再传送地址码 $A_{10}-A_{19}$ ，由列地址选中信号CAS*打入列地址锁存器，分别经过行译码和列译码，选中对应存储单元

在DRAM的内部还增加了刷新计数器和相应的控制电路.

DRAM刷新时是按照行进行刷新，一次要刷新一行上的所有存储元

刷新操作与读写操作是交替进行的，通过二选一的多路开关来提供刷新行地址或正常读写的行地址

存储系统及主存储器

DRAM的刷新

DRAM必须进行定期刷新

因为读操作会影响电容存储的数据，而就算不读取，电容也会随着时间发生电荷的泄露

刷新操作与读操作类似，不过无需送出数据
一次刷新选中一行中所有存储位元
内部有刷新电路
刷新方式有以下两种
- 集中式
- 分散式

集中式刷新

集中式刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新

存储系统及主存储器

特点为：

由于刷新工作集中进行，对芯片的正常读写周期不产生影响
同样由于刷新工作的集中进行，会造成芯片死时间过长的问题

分散式刷新

将每行存储单元的刷新分散到每个存储周期完成

存储系统及主存储器

一个读写周期的前段用来进行读写操作，后段用来进行刷新，

增长了存储周期，降低了系统速度
刷新过于频繁

异步式刷新

存储系统及主存储器

没有集中刷新的死时间，并且保证了信息不会丢失

ROM只读存储器

掩膜ROM（MROM）

存储内容固定的ROM，由掩膜工艺一次性制造
一旦ROM芯片做成，不能够改变其存储内容
用于存储广泛使用的具有标准功能的程序或数据，或用户定做的具有特殊功能的程序或数据
适宜没有更新需求的大批量应用

存储系统及主存储器

上图每一个行列交叉点是一个MOS单元，黄色的存储元表示存储零、绿色的存储元表示存储1.

当行线与MOS的栅极连接时，MOS管导通，列线上为高电平，表示该存储元存储1

当行线与MOS管的栅极不连接时，MOS管截止，表示存储的位0

这里的0/1在商家生产后就固定好了，用户没法改变，因此是纯粹的只读存储器

一次可编程存储器PROM

允许用户利用专门的设备（编程器）写入自己的程序和数据，但只能写入一次，一旦写入，其内容将无法再改变。PROM出厂时将所有单元制成0或者1，然后由用户需要自己将对应单元改为0或者1

光擦可编程EPROM

存储系统及主存储器

电擦可编程EEPROM（ E 2 P R O M E^2PROM E2PROM）

采用电擦除、且擦除速度快
不像光擦可编程需要将存储器从电路板拔下来在专门的仪器上操作，可以直接控制擦除
可以按单字节编程擦除、使用方便
容量比较小、单位成本高
可重复擦除的次数比较多
用于存储偶尔需要更新的系统配置信息、系统参数、加密保护数据或历史信息等

能否用EEPROM取代RAM呢？

不可以

EEPROM的编程次数或者说改写次数虽然有很多次，但是还是有限的
EEPROM的写入时间过长，比SRAM或者DRAM的时间长100-1000倍

Flash存储器

一种高密度电可擦除可编程的非易失性只读存储器

高密度表示具有很高的存储容量
电可擦除表示可以方便的反复多次改写
非易失性说明在没有电源的情况下它也可以长期保存

既有ROM的优点，又有RAM的优点

根据存储元工作原理和制作工艺的不同，FLASH可以分为以下几种

NOR技术
DINOR技术
AND技术
NAND技术

存储系统及主存储器

上面是flash的存储元，他是在EPROM的基础上改进而来的，当浮空栅带有许多电子（负电荷）时表示存储0，当带有少量电子可认为不带电荷时表示存储1

FLASH的编程操作

存储系统及主存储器

当向存储元写0时，在控制栅添加正电压，这样浮空栅就会产生大量的负电荷，从而使存储元存储0

不加正电压就会保持1的状态

FLASH存储元读出操作

存储系统及主存储器

读出操作时，控制栅加上正电压，浮空栅中的电荷量决定是否可以导通MOS晶体管，如果浮空栅带有少许或不带负电荷，MOS管导通，电源 $V_D$ 提供从漏极D到源极S的电流，读出电路检测到有电流就表示读出了1，如果浮空栅带有很多负电荷，控制端的正电压不足以克服负电荷导通MOS管，那么源极和漏极就不会产生电流，表示读出了0