在上一篇文章中我分析了NOR Flash的手册和FlexSPI的相关配置，在这篇文章中，我将以HyperRAM为例，看看八线的HyperRAM在硬件设计和软件配置上有增加什么引脚和参数，然后以ISIS型号为IS66WVH64M8DALL/BLL的HyperRAM为例，看看如何根据手册来配置FlexSPI的参数。
1 HyperRAM原理图
以下是官方EVKBoard中的八线Flash的原理图，由于大多数的Hyper存储器的封装都为FBGA 24-Ball 5 x 5 Array，所以可以直接进行替换。如下图所示，将R383和R400取掉，再将R401和R384焊上即可使用同封装的HyperRAM，连线非常简单，就是把一个FlexSPI的PortA和PortB都连上了，有八个数据线。
在8线的Flash/HyperRAM中会多一个DQS引脚，它用于SCLK双边沿采样，仅在存储设备发送数据给单片机时起作用，用于通知单片机数据线上的数据已经就绪。其它的注意CS引脚和RST引脚建议硬件上拉，不过忘记了硬件上拉还可以软件上拉。
2 手册解读和代码配置
在代码上和上一节的NOR Flash手册分析和参数配置详解十分相似，对于一些相同的部分，这篇文章就不再赘述。来看一下不同的地方：
2.1 DQS采样
首先，单片机的采样时钟选择DQS信号：
config.rxSampleClock = kFLEXSPI_ReadSampleClkExternalInputFromDqsPad;
...
FLEXSPI_Init(EXAMPLE_FLEXSPI, &config);
2.2 flexspi_device_config_t配置
因为不同的HyperRAM的参数肯定不一样，这一小节以IS66WVH64M8DALL/BLL为例看看如何进行配置FlexSPI设备结构体：
typedef struct _flexspi_device_config
{
uint32_t flexspiRootClk;
bool isSck2Enabled;
uint32_t flashSize;
flexspi_cs_interval_cycle_unit_t CSIntervalUnit;
uint16_t CSInterval;
uint8_t CSHoldTime;
uint8_t CSSetupTime;
uint8_t dataValidTime;
uint8_t columnspace;
bool enableWordAddress;
uint8_t AWRSeqIndex;
uint8_t AWRSeqNumber
uint8_t ARDSeqIndex;
uint8_t ARDSeqNumber;
flexspi_ahb_write_wait_unit_t AHBWriteWaitUnit;
uint16_t AHBWriteWaitInterval;
bool enableWriteMask;
} flexspi_device_config_t;
先来看一些基本参数：
#define HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_READDATA 0
#define HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEDATA 1
.flexspiRootClk = 200000000,
.isSck2Enabled = false,
.flashSize = (0x10000U),
.enableWordAddress = true,
.AWRSeqIndex = HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEDATA,
.AWRSeqNumber = 1,
.ARDSeqIndex = HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_READDATA,
.ARDSeqNumber = 1,
.AHBWriteWaitUnit = kFLEXSPI_AhbWriteWaitUnit2AhbCycle,
.AHBWriteWaitInterval = 0,
.enableWriteMask = true,
（1）flexspiRootClk：FlexSPI的频率，这里根据手册设置为最高200MHz，8线(bit)双边沿200MHz=400MB/s的速率。
（2）isSck2Enabled：设置为false，这个是用于并行模式中，即硬件上在FlexSPI的PortA和PortB各接一个Flash，然后由FlexSPI自动组合/拆分数据的，这里没有用到。
（3）flashSize：512Mb = 64MB = 0x10000KB。
（4）enableWordAddress：手册中有提到，是word-wide address boundaries，所以这里填true，表示按字寻址。
（5）AWRSeqIndex和ARDSeqIndex：对应写和读的时序序列在LUT中的索引
（6）AWRSeqNumber和ARDSeqNumber：有的Flash需要多个Sequence完成一个操作，这里表示写和读的序列在一个LUT的Sequence(8个instruction)内就能完成。
（7）AHBWriteWaitUnit和AHBWriteWaitInterval：二者相乘为Flash写操作后需要等待的时间，在下面写时序图最后传输完数据后，CS#线马上就上拉，所以该芯片写完数据后无需等待，AHBWriteWaitInterval填0。
（8）enableWriteMask：在向HyperRAM写入数据时，可以用DQS线控制写入时是否使用掩码，主要用于IP指令。可以指定低四位是否使用掩码，即是否忽略这四位的值，该掩码在IPCR2寄存器中设置：
这个功能需要打开。
现在来看一下
.CSIntervalUnit = kFLEXSPI_CsIntervalUnit1SckCycle,
.CSInterval = 2,
.CSHoldTime = 1,
.CSSetupTime = 1,
.dataValidTime = 1,
.columnspace = 3,
（1）CSIntervalUnit和CSInterval：二者相乘即两次片选的间隔时间。原理图中HyperRAM的电源是1.8V，所以这里最低要为5ns，即1/200M，也就是一个时钟周期，这里将CSIntervalUnit 设置为kFLEXSPI_CsIntervalUnit1SckCycle，然后CSInterval就不设置地这么极端，这里就填2。
（2）CSHoldTime和CSSetupTime：数据的保持时间和建立时间，这里仅要求0.5ns，所以这两个参数都设置为1。
（3）dataValidTime：数据有效时间如下，同样，这里设置为1即可。
（4）columnspace：列地址宽度，对于这个HyperRAM来说，是用行列进行寻址的，这里列地址的宽度为3位。
2.3 LUT表格配置
这里就以读和写两个时序序列为例分析一下参数的配置，LUT表格如下：
uint32_t customLUT[20] = {
/* Read Data */
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_READDATA] =
FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0xA0, kFLEXSPI_Command_RADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x18),
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_READDATA + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(
kFLEXSPI_Command_CADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x10, kFLEXSPI_Command_DUMMY_RWDS_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 6),
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_READDATA + 2] =
FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_READ_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x04, kFLEXSPI_Command_STOP, kFLEXSPI_1PAD, 0x00),
/* Write Data */
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEDATA] =
FLEXSPI_LUT_SEQ(kFLEXSPI_Command_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x20, kFLEXSPI_Command_RADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x18),
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEDATA + 1] = FLEXSPI_LUT_SEQ(
kFLEXSPI_Command_CADDR_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x10, kFLEXSPI_Command_DUMMY_RWDS_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 6),
[4 * HYPERRAM_CMD_LUT_SEQ_IDX_WRITEDATA + 2] = FLEXSPI_LUT_SEQ(
kFLEXSPI_Command_WRITE_DDR, kFLEXSPI_8PAD, 0x04, kFLEXSPI_Command_STOP, kFLEXSPI_1PAD, 0x00),
};
可以看到读和写的时序序列十分类似，下面来分析一下这些opcode和operand：
（1）kFLEXSPI_Command_DDR
这里我们使用的是8线差分的HyperRAM，在时钟的双边沿都采用，所以就可以进入DDR模式进行数据的读写。对于读数据的operand固定为0xA0，写数据的operand固定为0x20。
- HyperRAM和HyperFlash是基于Cypress Semiconductor的HyperBus™接口规范设计的存储器产品，这个
operand是在该规范中定义的，这里虽然是ISIS的产品，但也遵循这个规范，所以operand固定为0xA0
（2）kFLEXSPI_Command_RADDR_DDR和kFLEXSPI_Command_CADDR_DDR：行地址和列地址的位数。来看看手册：
在CK为低电平，CK#为高电平时，FlexSPI的前三个时钟周期将传输48位的Command/Address的数据，这表示了一个时序的开始，这48位的定义如下：
由于HyperRAM连接的是8线的HyperRAM，所以一次传输的字节一定是8的倍数，所以对于FlexSPI来说，如果RADDR_DDR或CADDR_DDR不足8位，会自动在低位插入保留位(这个值是什么不影响)。另外，如果你传的行列地址大于特定大小的HyperRAM最大的行和列，FlexSPI会自动将高位置0。
先来看一下列地址，上表中显示低16位是列地址，有效位有3位，高13位是预留兼容的列地址位，需要置0。所以这里列地址的时序参数需要填16，即0x10。
再来看一下行地址，IS66WVH64M8DALL/BLL有512Mbit，即
2
26
2^{26}
226Byte，而在一个时钟周期中的双边沿将采样2字节的数据，列地址还有3位，所以理论上行地址需要传输26-1-3=22位，即可寻址整个HyperRAM。然后向8位对齐，不然FlexSPI会在低位补0，就不是我们要访问的地址了。所以参数为0x18，即24位。
这里我们注意到行地址范围是bit44~16，有29位，向8位对齐为32，为什么不填32呢？
我的猜测是高3位指示传输的一些参数，也需要8位对齐，FlexSPI根据我们的kFLEXSPI_Command_DDR传这三位的时候，肯定也是一次传8位了，所以对于1Gbit的设备，在传高三位的同时，也会根据用户提供的地址把bit44~40的位也给填充了。
（3）kFLEXSPI_Command_DUMMY_RWDS_DDR：HyperBus设备中用于数据和命令的时钟同步延时，这个值必须非常精准。。由于读写的DUMMY Cycle一般都一样，这里以IS66WVH64M8DALL/BLL中的读时序为例，看看这个值要设置为多少：
在手册中并没有明确地标出Dummy cycle的时序图，这个图主要是为了说明一些AC参数，但从图中可以粗略地看出，当48位的CA数据发完后，再经过7个时钟周期，DQ线上就开始传输数据，但这个图仅仅是一个示意图，所以这个7并不准确。实际的值应该参考手册中Configuration Register 0中的Initial Latency，手册中写了默认为166MHZ，这个latency为6，所以这里填6。
（4）kFLEXSPI_Command_READ_DDR和kFLEXSPI_Command_WRITE_DDR：即读数据和写数据的命令，其参数为AHB的Burst size，即读或写数据的大小，即一次读写的最小字节数。大部分设备是4字节对齐的，这里就填0x04。
（5）kFLEXSPI_Command_STOP：停止指令。文章来源：https://www.toymoban.com/news/detail-536081.html
3 总结
本文通过分析HyperRAM的手册和FlexSPI的参数对一个8线的HyperRAM的参数配置进行了讲解，对于不同的HyperRAM来说，其寻址方式不太相同，比如有的HyperRAM列地址的高列地址和低列地址并不是连续的，这个时候设置的行地址位数的参数就不能以8位对齐了，而是要预留低位，让FlexSPI自动去填充。所以，这些存储设备的配置代码并没有一个通用的模板，对于不同的芯片，都需要阅读其手册来配置。文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-536081.html
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