[NAND Flash 6.3] NAND FLASH基本编程(写)操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现

这篇具有很好参考价值的文章主要介绍了[NAND Flash 6.3] NAND FLASH基本编程(写)操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现。希望对大家有所帮助。如果存在错误或未考虑完全的地方,请大家不吝赐教,您也可以点击"举报违法"按钮提交疑问。

依公知及经验整理,原创保护,禁止转载。

专栏 《深入理解NAND Flash》

<<<< 返回总目录 <<<<
全文 3244

前言

使用的NAND FLASH的硬件原理图,面对这些引脚,很难明白他们是什么含义,下面先来个热身:

问1. 原理图上NAND FLASH只有数据线,怎么传输地址?

答1. 在DATA0~DATA7上既传输数据,又传输地址。

ALE为高电平时传输的是地址。

问2. 从NAND FLASH芯片手册可知,要操作NAND FLASH需要先发出命令,怎么传入命令?

答2. 在DATA0~DATA7上既传输数据,也传输命令。

CLE为高电平时传输的是命令。

ALECLE都为低电平时传输的才是数据。

NAND Flash 引脚功能

NAND存储器和外部通信是靠引脚,这些引脚是由Command Interface来进行测定记录的。Co文章来源地址https://www.toymoban.com/news/detail-805185.html

到了这里,关于[NAND Flash 6.3] NAND FLASH基本编程(写)操作及原理_NAND FLASH Program Operation 源码实现的文章就介绍完了。如果您还想了解更多内容,请在右上角搜索TOY模板网以前的文章或继续浏览下面的相关文章,希望大家以后多多支持TOY模板网!

本文来自互联网用户投稿,该文观点仅代表作者本人,不代表本站立场。本站仅提供信息存储空间服务,不拥有所有权,不承担相关法律责任。如若转载,请注明出处: 如若内容造成侵权/违法违规/事实不符,请点击违法举报进行投诉反馈,一经查实,立即删除!

领支付宝红包赞助服务器费用

相关文章

  • ECC校验原理以及在Nand Flash中的应用

    ECC校验原理以及在Nand Flash中的应用

    ECC,全称为Error Correcting Code,错误纠正码,这是一种编码方式,用于在于可以在一定程度上自行发现和纠正传输过程中发生的错误。 纠错码能够检错或者纠错,主要靠码字之间的差别。这可以用汉明距离d(x,y)来衡量。一种纠错码的最小距离d定义为该种码中任意两个码字

    2024年02月02日
    浏览(5)
  • 【小米路由器3】breed刷机救砖-nand flash硬改SPI flash-编程器救砖(解决ttl无法救砖问题)

    【小米路由器3】breed刷机救砖-nand flash硬改SPI flash-编程器救砖(解决ttl无法救砖问题)

    大家好,我是老子姓李!(gzh:楠瘦) 本博文带来 【小米路由器3】变砖,ttl无法救砖,硬改焊接一块SPI flash,使用编程器刷入小米路由器mini的breed最终成功救砖 。 1.引言 1.1 背景 个人嫌弃小米路由器的自带固件不够好用,觉得网速又慢、不够稳定,而且不能装插件。本着

    2024年02月09日
    浏览(117)
  • Nor Flash和Nand Flash的区别——笔记

    NorFlash: 串行存储器、读取速度比较快(比NandFlash快),适合用于存储程序代码和执行代码,但NorFlash写入速度比较慢、容量比较小。 数据线和地址线是分开的。 NandFlash: 并行存储器、写入速度比较快(比NorFlash快)、容量比较大,适合用于存储大量数据。但NandFlash读取速度

    2024年02月08日
    浏览(10)
  • [NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿

    [NAND Flash 3.2] 3D NAND 工艺与发展前沿

    依公知及经验整理,原创保护,禁止转载。 专栏 《深入理解NAND Flash》 全文 6200 字,​ 2023.12.12 更新 3D NAND, 也叫做 Sumsung V-NAND, 是一种高密度闪存。 以前,把NAND闪存颗粒,直接平铺在SSD固态硬盘电路板上,叫2D技术。后来,厂家为节约成本,节省空间,像建高楼一样,一层

    2024年02月04日
    浏览(10)
  • stm32读写nand flash

    stm32读写nand flash

    目前我在使用stm32f407ZGT6来读写三星的nand flash【K9F1G08U0E】。 板子我是在这里买的 【STM32F407ZGT6最小系统板/核心板/转接板/开发板/加128M FLASH】 他上面可以选装一个K9F1G08U0E。 针对这个nand flash,可以选择采用stm32的FSMC来进行读写。 stm32的程序我是stm32cubeide来编写的,感觉挺方便

    2024年02月11日
    浏览(9)
  • 【FLASH存储器系列四】NAND和NOR两种Flash的本质区别是什么?

    👉个人主页: highman110 👉作者简介:一名硬件工程师,持续学习,不断记录,保持思考,输出干货内容 目录 1 Nand 和Nor的区别 2 从存储原理上分析这些区别的原因         1、为什么nor flash的读取速度比nand flash要稍快?         2、为什么nand flash的容量比nor flash更大?

    2024年02月20日
    浏览(10)
  • nand flash oob64 算法实例代码

    // SPDX-License-Identifier: GPL-2.0+ /*  * Copyright 2000-2009  * Wolfgang Denk, DENX Software Engineering, wd@denx.de.  */ #include common.h #include command.h #include version.h #include linux/compiler.h #ifdef CONFIG_SYS_COREBOOT #include asm/arch/sysinfo.h #endif const char __weak version_string[] = U_BOOT_VERSION_STRING; #define BCH6_PAGE_SIZE    

    2024年02月16日
    浏览(9)
  • EEPROM,NOR Flash,NAND Flash,eMMC,UFS,SSD分别和主要参数及特性

    EEPROM、NOR Flash、NAND Flash、eMMC、UFS、SSD都是非易失性存储器,但它们在架构、存储容量、读写速度、功耗、价格等方面存在不同,具体如下: EEPROM:EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)是一种用于存储非易失性数据的闪存存储器。它比 NOR Flash和 NAND Flash容量小、价

    2024年02月16日
    浏览(17)
  • [深入理解NAND Flash (失效篇) ] NAND VT Distribution 和失效模式

    传送门    总目录 主页 : 元存储的博客_CSDN博客 本文依据公开知识及个人经验整理而成,如有错误请留言。 文章为个人辛苦整理,付费内容,禁止私自转载。 全文 2800 字, 内容摘要: 1 从NMOS Vt到FGNMOS Vt 2 Vt Distribution 3 Vt Distribution 恶化之源     3.1 P/E cycle increase     3.2

    2024年02月14日
    浏览(12)
  • RT thread 之 Nand flash 读写过程分析

    RT thread 之 Nand flash 读写过程分析

    NAND Flash 是一种常见的闪存存储器类型,广泛应用于各种电子设备中,如手机、平板电脑、嵌入式系统等。它是一种非易失性存储器,可以持久地保存数据即使在断电情况下。 NAND Flash 与传统的 NOR Flash 相比具有较高的存储密度和较低的成本,但其随机访问速度较慢。它使用了

    2024年02月15日
    浏览(14)

觉得文章有用就打赏一下文章作者

支付宝扫一扫打赏

博客赞助

微信扫一扫打赏

请作者喝杯咖啡吧~博客赞助

支付宝扫一扫领取红包,优惠每天领

二维码1

领取红包

二维码2

领红包